HMDS預(yù)處理系統(tǒng)

通過對烘箱預(yù)處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數(shù)的控制可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料。

HMDS預(yù)處理系統(tǒng)

在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅胺)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。

1. 工作室尺寸 300×300×300，450×450×450，550×650×550（mm）可自定

2.材質(zhì)外箱采用304不銹鋼/冷軋板噴塑，內(nèi)箱采用316L醫(yī)用級不銹鋼

3.溫度范圍  RT+10-250℃

4. 溫度分辨率  0.1℃

5. 溫度波動度  ≤±0.5℃

6. 真空度  ≤133pa（1torr）

7. 潔凈度  class 100，適用100級光刻間凈化環(huán)境

8.真空泵  旋片式油泵/干泵

9.控制儀表  人機(jī)界面

10.擱板層數(shù)  2層